说起PCIe5.0固态硬盘，相信大家都会想到那些读写能力超过10吉比特、佩戴夸张散热片的高性能产品。
但事实上，这些产品只是厂商“秀肌肉”，消费群体并非普通用户，因此PCIe4.0仍然是市场的绝对主力。
今年1月，三星推出了“双模”产品990 EVO，为PCIe5.0应用提供了新思路。 9月，推出全新升级版990 EVO Plus，性能大幅提升，为提高生产力带来新选择。
熟悉三星存储产品的同学都知道，Plus定位为升级产品，并没有超出该系列的范围。不过，本次升级间隔只有8个月。可以看出，三星显然已经不再满足于微小的性能提升，而是正在通过半导体技术的创新寻求同系列的突破。
事实上，《Plus》这次带来的惊喜确实有点猛。当然，PCIe5.0和PCIe4.0双平台兼容性也得到了继承。
我们先来看看这款产品的亮点（以2TB为例）
1.支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2双模式；
2、搭载三星第八代V-NAND TLC原装闪存芯片；
3、搭载三星自主研发的主控芯片，采用5nm工艺，采用镀镍涂层；
4、最高顺序读写速度可达7250MB/s和6300MB/s；
5、最高随机读写性能达到1050K IOPS和1400K IOPS；
6、IntelligentTurboWrite2.0技术大幅增加SLC缓存空间，2TB最大可达226GB；
7. 电源效率比三星990 EVO SSD高73%。
外观一览三星990 EVO Plus采用与990 EVO相同的外包装设计。依旧是清爽的蓝色主视觉，搭配产品图片和大字体的车型标志。不过，产品型号从EVO变更为EVO Plus。可以看出，本次升级还是比较低调的。右下角的标签标识了产品的读取速度和容量。
三星990 EVO Plus采用黑色PCB，但正面的散热标签比990 EVO略小。这是为了照顾单NAND芯片版本的美观，设计风格也略有改变。最左边是产品型号，中间是S/N码等信息，最右边是产品的容量和三个二维码。标签上还标明了工作电压和电流。最大理论功耗仅为6.27W，对于笔记本的续航非常友好。
三星990 EVO Plus采用单面组件方案，不仅减少了发热，还提高了与笔记本等紧凑型产品的兼容性。背面大面积铜线路不仅有效提高了抗干扰性能，还提高了传热效果。 NANDFLASH芯片的位置还贴有铜箔散热片，进一步提高散热效率。
揭开正面的标签，可以看到元件布局与990 EVO基本相同。它仍然是没有外部缓存的DRAMLess 设计。主要部件是主控芯片和NAND FLASH存储芯片。主控旁边的小黑芯片是电源管理用的。芯片周围布满了大量的贴片电容和电阻。
5nm制造工艺的主控芯片型号与990 EVO相同，但表面采用创新镀镍设计，进一步提高散热效率，并内置三星动态散热保护机制（DTG） ）最大限度地减少过热。
同时这款主控依然支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2两种传输模式，并且可以根据M.2插槽支持的PCIe版本自动切换。尤其是在PCIe5.0x2模式下运行时，关闭两个PCIe通道会降低成本。功耗，更省电，发热量更低。
核心部件升级为三星最新第八代V-NAND TLC原装闪存芯片。 236层堆叠大大提高了存储密度。比如我们测试的单芯片就可以达到2TB。旁边的焊盘重新焊接。容量可达4TB。
除此之外，闪存的I/O接口带宽也提升至2400MT/s，这也是990 EVO Plus最高读写速率达到7250MB/s和6300MB/s，是随机性能高达1050K IOPS和1400K IOPS的关键，同时功耗也降低了16%。
基准性能测试作为三星990 EVO的升级版，990 EVO Plus不仅读写性能大幅提升，而且延续了PCIe4.0x4+PCIe5.0x2“双模”设计，因此还具有低功耗的优势功耗。
对于基准测试，我们从三个维度入手：顺序读写性能、随机性能和SLC Cache。以下是我们这次的测试平台。
由于AMD X670E主板的M.2插槽支持PCIe版本切换，因此可以在BIOS中限制运行在5.0或4.0模式。 Crystal Disk信息显示990 EVO Plus支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2。室温24通电15分钟，闲置温度分别为50和48。可以看到PCIe5.0x2模式下发热量会更低。
由于PCIe4.0x4带宽与PCIe5.0x2一致，因此三星990 EVO Plus在这两种模式下的顺序读写性能基本相同。根据CrystalDiskMark实测，2TB容量在PCIe5.0x2模式下的最大顺序读写速度分别为7216.91MB/s和6105.87MB/s，在PCIe4.0x4模式下分别为7208.85MB/s和6055.98MB/s 。
用于对比的TxBench测试结果显示，三星990EVOPlus在PCIe5.0x2模式下的最高顺序读写速度分别为7212.982MB/s和6209.903MB/s，PCIe4.0x4模式下为7185.815MB/s和6198.875MB/s。 s，与水晶盘标记相同接近。随机性能采用水晶盘标记结果。读写分别达到1052K IOPS和1368K IOPS，大幅超越990 EVO，几乎可以与搭载DRAM的SSD产品媲美。它可以用于大型游戏和专业编辑等繁重任务。进一步提高大量精细文件的加载效率。
进阶性能测试为了进一步探究三星990 EVO Plus的SLC缓存机制和随机性能，我们将使用专业存储测试软件IOmeter进行进一步测试，并记录每秒的速度变化生成图表。每轮测试持续40 分钟。
首先进行128KB顺序写入测试。从测试曲线中我们可以看到，三星990 EVO Plus 2TB的初始连续写入速度为5600-5700MBps。 40秒后，SLC缓存耗尽，因此盘空时Turbo Cache实际上约为226GB。
缓存耗尽后，TLC稳态直写速度为1200--1400MBps。 24分钟后，主控完成GC回收，写入速度开始提升。从曲线上看，它像扭曲一样在1900--2200MBps之间波动。不过在日常使用中，很少会一次性写入超过200GB的数据，所以在实际使用中，它是全速运行，体验非常流畅。
热测试方面，我们使用IOmeter测试128KB顺序写入，让三星990 EVO Plus满负载运行，测试时间为20分钟，记录每分钟的温度变化。
从温度图我们可以看到，其最高温度仅为76，不仅低于990 EVO。通过IOmeter的测试图形，我们也可以看到动态散热保护机制（DTG）并没有干预。可以看到990EVO Plus的温度控制非常好。升级扩容笔记本时，您无需担心过热问题。
应用模拟测试应用模拟是通过专用的测试软件模拟不同的应用场景来表征固态硬盘的综合性能。需要说明的是，测试项目中PCMARK10和3DMARK在不同硬件平台（尤其是CPU）上的运行分数存在较大差异，因此结果仅供参考。
首先是PCMARK10的完整系统盘测试。本项目模拟三星990 EVO Plus作为系统盘，测试真实环境下的性能。根据实际测试，三星990 EVO Plus 2TB得分为4267分，带宽为677.32MB/s，平均访问时间为39s。
接下来是3DMARK存储DLC测试。本项目通过加载、保存、安装和录制三款游戏来评估固态硬盘的游戏性能。三星990 EVO Plus 2TB最终存储基准得分为4284分，平均带宽为735.29MB/s，平均访问时间为42s。
最后是FF XIV EndWalkerBenchmark游戏加载模拟测试。该DEMO可以记录所有测试场景的加载时间。经过测试，三星990 EVO Plus 2TB的整个过渡加载时间仅为7.236秒，与配备独立DRAM缓存的产品基本一致。同样，游戏表现也不错。
专属软件上手简单为了集中监控和管理三星品牌所有存储产品，三星存储推出了专用管理软件SAMSUNG Magician，支持固态硬盘、移动固态硬盘、U盘等全系列存储产品磁盘和存储卡。
驱动程序仪表板中的“状态”选项卡可以显示三星990 EVO Plus 的总写入容量、当前剩余磁盘空间、工作温度变化、速度测量结果等。
为了让用户轻松了解存储产品的性能，三星Magician内置了速度测试功能，可以在Performance Benchmark中进行测试。普通用户无需专业软件即可自行测试三星990 EVO Plus的性能。
三星魔术师还为三星990 EVO Plus设置了四级性能模式。在性能优化中，您可以看到全性能模式、标准模式、省电模式和自定义模式。定义模式），用户可以根据使用的设备和应用场景自由设置。
开启Full PowerMode可以关闭固态硬盘的睡眠和空闲状态，以始终保持最佳性能。开启TRIM可以删除数据块中不再使用的数据，使固态硬盘运行更加高效。
写在最后当前NVMe固态硬盘正处于PCIe4.0到PCIe5.0的过渡期。三星990 EVO Plus不仅支持完整的PCIe4.0，还兼容PCIe5.0。
最令人惊讶的是，它不仅在性能上与配备独立缓存的产品相当，而且还实现了更低的功耗和发热量，进一步提升了整体性能。它物超所值，已成为适合您任务的高性能游戏和AI 质量解决方案。
